雪崩击穿Avalanche Multiplication

材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对.新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子空穴对.如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加,流过PN结的电流就急剧增大,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿.也称为电子雪崩现象.它是一种非破坏性的电子现和齐纳击穿一样是暂时性可恢复的.而热击穿是破坏性的，也就是不可逆的。

    雪崩击穿有正温度系数。而齐纳击穿有负温度系数。可以利用这一点减小温漂。

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